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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  NXP LX2162A處理器：適用于邊緣計算的高性能、低功耗緊湊型處理器 2024-12-16 09:15:47

  NXP的LX2162A處理器，別名“LX2-Lite”，是一款高性能、低功耗的16nm FinFET工藝處理器，集成了16個Arm Cortex-A72核心，專為邊緣計算設(shè)計。它支持高達105 Gbit/s的第二層以太網(wǎng)交換機、50 Gbit/s的安全加速器和88 Gbit/s的數(shù)據(jù)壓縮引擎，適用于網(wǎng)絡(luò)接口卡、COM Express Type 7模塊等小型板卡。LX2162A提供卓越的計算性能和高速通信能力，支持多種以太網(wǎng)速度和PCIe Gen3通道，封裝緊湊，功耗低，是邊緣計算應(yīng)用的理想選擇。