Infineon英飛凌高功率600V/650V碳化硅二極管
發布時間:2023-12-11 09:48:31 瀏覽:1575
Infineon是一家知名的半導體公司,而碳化硅(SiC)二極管是一種高功率的半導體器件。英飛凌公司生產的600V和650V碳化硅二極管,面向18kHz和100kHz開關頻率區間高效應用,能提供更高的開關速度和更低的開關損耗。
碳化硅具有較高的電子飽和漂移速度和熱導率,并且能夠在高溫環境下工作。這使得碳化硅二極管可以在高頻率開關和高溫條件下實現更高的效率和性能。Infineon的碳化硅二極管產品具有低導通和開關損耗、高溫穩定性、低開關噪聲和更高的功率密度。他們廣泛應用于電力轉換、電動汽車、可再生能源和工業領域等高功率應用中。
在使用Infineon的碳化硅二極管之前,建議您詳細了解產品規格和特性以確保其適用于您的具體應用需求,也可以咨詢立維創展。
產品選型
600 V / 1200 V 超軟:
IDP12E120 | IDW50E60 | IDB18E120 | IDP45E60 |
IDB30E120 | IDW75E60 | IDB30E60 | IDP15E60 |
IDP30E120 | IDW100E60 | IDB15E60 | IDP30E60 |
IDP18E120 | IDW30E60 |
650V Rapid 1和Rapid 2二極管:
IDWD120E65E7 | IDW30E65D1 | IDW80C65D1 | IDP40E65D2 |
IDWD100E65E7 | IDP15E65D1 | IDW30C65D1 | IDP15E65D2 |
IDWD150E65E7 | IDW40E65D1 | IDFW40E65D1E | IDP30E65D2 |
IDWD50E65E7 | IDP08E65D1 | IDFW60C65D1 | IDP30C65D2 |
IDWD20E65E7 | IDV20E65D1 | IDV08E65D2 | IDP20C65D2 |
IDWD40E65E7 | IDP30E65D1 | IDW15E65D2 | IDV30E65D2 |
IDWD30E65E7 | IDFW80C65D1 | IDP08E65D2 | IDP20E65D2 |
IDWD75E65E7 | IDW60C65D1 | IDV15E65D2 | IDW80C65D2 |
IDWD60E65E7 | IDW75D65D1 | IDW40E65D2 | IDW20C65D2 |
IDW30C65D2 |
英飛凌650V Rapid 1及Rapid 2功率二極管是對600V與650V區間高功率二極管產品序列的補充,填補了碳化硅(SiC)二極管和發射極控制二極管之間的空白,是面向超快速和極快速功率二極管市場的優秀產品。全新的極速和超高速二極管系列產品為客戶提供無與倫比的效率、可靠性及性價比。額外的50V確保了更高的可靠性。
650V Rapid 1二極管
英飛凌的Rapid 1二極管系列擁有溫度特性穩定的1.35V正向電壓 (VF),確保導通損耗最低并且通過軟恢復的方式使EMI輻射降至最小。該器件非常適用于功率因數校正(PFC)的拓撲結構,該結構常見于家用電器,比如空調和洗衣機。
650V Rapid 2二極管
Rapid 2二極管系列專門針對頻率介于40kHz和100kHz區間的應用設計,提供最低的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),最大限度地縮短導致功率開關導通損耗的反向導通時間,從而使效率達到最高。
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